主要技術(shu)參數(shu)

模塊式(shi)結構：否(fou)
· zui大(da)電(dian)流(liu)：±100mA

· zui大(da)響應(ying)電(dian)壓(ya)：±10V
· 恒電位(wei)儀(yi)/恒電流(liu)儀：是
· 電位(wei)掃描範(fan)圍(wei)：±10V· 施(shi)加電位(wei)精(jing)度：設定±2mV之(zhi)±0.2%
· 施(shi)加電位(wei)分(fen)辨率(lv)：150μV
· 測(ce)量(liang)電位(wei)分(fen)辨率(lv)：3μV
· 電(dian)流(liu)檔(dang)：10nA-10mA，七檔(dang)
· 電(dian)流(liu)精度(du)：電流(liu)值(zhi)或(huo)電流(liu)檔(dang)的(de)±0.2%
· 施(shi)加電流(liu)分(fen)辨率(lv)：電(dian)流(liu)檔(dang)的(de)0.015%
· 測(ce)量(liang)電流(liu)分(fen)辨率(lv)：電(dian)流(liu)範(fan)檔(dang)的(de)0.0003%——在(zai)10nA電流(liu)時：30fA
· 恒電位(wei)儀(yi)頻寬(kuan)：1MHz
· 恒電位(wei)儀(yi)上升(sheng)/下降(jiang)時(shi)間（1V階躍(yue)，10-90%）：＜ 300ns· 電(dian)量(liang)計輸入阻抗(kang)：＞100GOhm//＜8pF
· 輸入偏置(zhi)電流(liu)/25℃：＜1pA· 模擬積分(fen)器：內(nei)置(zhi)

應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)
· 生(sheng)物(wu)傳感器
· 伏(fu)安(an)分(fen)析(xi)
· 電沈積
· 納米(mi)材(cai)料等(deng)